ETAI TECH / 自有品牌
O2 Sensor 氧氣感測器
ETAI O₂ Sensor

01 / SENSING PRINCIPLE
氧化鋯氧氣感測原理

氧化鋯型氧氣感測器(Zirconia O₂ Sensor)的工作原理基於固體電解質的氧離子導電特性,以及濃差電池效應(能斯特方程式,Nernst Equation)。
在高溫下導電
氧化鋯(ZrO₂)在常溫下為絕緣體。摻雜氧化釔(Y₂O₃)穩定後,其晶格具有氧空缺;加熱至約 300°C 至 600°C 以上時,氧離子(O²⁻)可透過氧空缺遷移,使材料成為氧離子導電的固體電解質。
兩側形成氧濃度差
感測器呈管狀或片狀結構。內側通入已知含氧量的參考氣體(通常為大氣,氧濃度約 21%),外側暴露在待測氣體(真空區)中,形成兩側的氧濃度差。
化學反應與離子遷移
當大氣區為高氧側、待測氣體側(真空區)為低氧側時,高氧側的氧分子獲取電子,還原成氧離子。氧離子穿過高溫氧化鋯陶瓷,流向低氧側,再失去電子,重新結合為氧分子。
高氧側:O₂ + 4e⁻ → 2O²⁻
低氧側:2O²⁻ → O₂ + 4e⁻
產生電壓訊號(能斯特方程式)
兩端鉑金電極(Platinum Electrodes)因電荷分離而產生電位差(EMF);電壓大小取決於溫度與兩側氧分壓的比值,由能斯特方程式決定。

- U:電池電壓;T:絕對溫度(K)。
- R:理想氣體常數,8.31 J/(mol · K)。
- F:法拉第常數,9.64 × 10⁴ C/mol。
- pO₂ (air) 與 pO₂ (measuring gas):參考大氣與待測氣體的氧分壓。
02 / REAL-TIME MONITORING
O2 ppm SPC Chat

真空製程若發生大氣洩漏,氧氣、水氣與氮氣可能進入腔體,促使氧化物或氮化物生成,進而影響產品特性與良率。
真空腔體可透過氦氣測漏或壓力上升率(Rate of Rise, ROR)測試檢查洩漏;ROR 結果也可能受到材料釋氣影響,需配合測試條件判讀。ETAI 氧氣即時監控系統可於製程中監測腔體內的氧氣變化,協助辨識可能的外氣洩漏。
ETAI 氧氣即時監控系統的監控壓力範圍為 1,500 mbar 至 1 × 10⁻³ mbar,可直接安裝於腔體上,即時監控制程。
03 / APPLICATIONS
適用製程
- CVD:化學氣相沉積製程
- Diffusion:擴散製程
- Etch:蝕刻製程
- ALD:原子層沉積製程
- RTP:快速熱製程
04 / PRODUCT ADVANTAGES
產品優勢
小巧易安裝。
低成本,即時偵測大氣洩漏。
量測範圍:一大氣壓至 1 × 10⁻³ mbar。
免加裝幫浦與特殊保護裝置,維護成本低。
感測頭更換簡便。
在潔淨製程環境下,感測頭壽命可達 10,000 小時以上。
感測頭兩年內免校正、無飄移。
保護圓管減少污染,延長壽命。
液晶顯示控制器。
通過 TÜV SEMI S2 測試認證。
